跳至主要内容

半導體

導電性介於導體與絕緣體之間的材料(最常見為矽 Si),可透過摻雜(doping)與外加電壓控制其導電行為,是 IC 的基礎。

基本概念

  • N 型 / P 型:摻入不同雜質形成多數載子為電子(n-type)或電洞(p-type)。
  • PN 接面(junction):二極體的基礎,具單向導通特性。
  • MOSFET:現代 IC 最基本的開關元件,由 gate 電壓控制 source–drain 的通道導通。
  • CMOS:由 NMOS + PMOS 互補組成,靜態功耗低,是數位邏輯主流製程。

產業鏈

  • IC 設計(fabless):如聯發科、NVIDIA、高通。
  • 晶圓代工(foundry):如台積電 TSMC。
  • 封裝測試(OSAT):如日月光。
  • IDM:設計+製造整合,如 Intel、三星。

製程

  • 光罩(photomask)、微影(lithography)、蝕刻(etch)、沉積(deposition)、離子佈植(implant)等反覆堆疊。
  • 製程節點(如 3nm、5nm)越先進,單位面積電晶體越多、效能/功耗越好。